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四川G-30D4型高精密單面光刻機

一、 主要用途:本設備是我公司專門針對各生產(chǎn)單位對光刻機的使用特性研發(fā)的一種精密光刻機,它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元…

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G-30D4型高精密單面光刻機

設備概述:

本設備為我公司專門針對各大、中、小型企業(yè)的使用特性而研發(fā)的一種高精密雙面光刻機,它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn),它具有生產(chǎn)效率高、結構簡單、操作維護方便等優(yōu)勢,本機不僅適合4英寸以下各型基片的曝光,也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。 主要由防震工作臺、LED專用曝光頭、氣動系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式真空泵及附件箱等組成。


曝光頭及部件圖

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主要功能特點

Φ100mm以下,厚度(包括非圓形基片

2. 結構穩(wěn)定

有真空掩膜版架、真空片吸盤。

本設備操作簡單,調(diào)試、維護、修理等都非常簡便。  

采用進口電磁閥、按鈕、定時器;采用獨特的氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)和精密的機械

5. 特設功能  的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題  

主要技術指標

1曝光類型:接觸式,雙面,一次同時曝光(配置4″LED專用曝光頭)

2、曝光面積:110×110mm

3、曝光照度不均勻性:≤±3%

4、曝光強度:030mw/cm2可調(diào);

5、紫外光束角:≤3°

6、紫外光中心波長:365nm

7、紫外光源壽命:≥2萬小時;

8、工作面溫度:≤30

9、采用電子快門;

10、曝光分辨率:2μm(曝光深度為線寬的10倍左右)

11、曝光方式:接觸式曝光;

12、掩模版尺寸:≤127×127mm

13、基片尺寸:≤ Φ100mm;

14、基片厚度:≤5 mm

15、曝光定時:0999.9秒可調(diào);

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